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太陽能硅片加工工藝流程一般經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、切斷、外徑滾磨、平邊、切片、倒角、研磨、腐蝕、拋光、清洗、包裝等階段。近年來光伏太陽能和半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展對(duì)硅片的切割和加工提出了更加苛刻的要求：一方面為了降低生產(chǎn)和加工成本，硅片向大直徑的方向發(fā)展，而硅片的厚度則逐年降低（表１可以看出硅片的厚度在逐年降低，但是２００９年硅片厚度降低２０μｍ，２０１０年只降低１０μｍ）。另一方面要求生產(chǎn)出的硅片具有較高的平面精度和較低的的表面粗糙度。這些要求都加大了硅片的加工難度，由于硅材料具有脆、硬等特點(diǎn)，直徑增大造成加工中的翹曲變形，加工精度不易保證。厚度降低、芯片厚度減薄造成了材料磨削量大、效率下降等