低壓無(wú)功動(dòng)態(tài)補(bǔ)償裝置
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
本裝置采用復(fù)合開關(guān)或無(wú)觸點(diǎn)可控硅投切電容器，是一種比較先進(jìn)和可靠的新
型補(bǔ)償裝置,產(chǎn)品響應(yīng)速度快、無(wú)涌流、無(wú)火花，不產(chǎn)生諧波、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn)。裝置中的控制器全數(shù)字化設(shè)計(jì)，大屏幕LCD中文液晶實(shí)時(shí)顯示電網(wǎng)運(yùn)行參數(shù)、參數(shù)設(shè)置中文提示、支持等容／編碼及模糊投切、具有手動(dòng)／自動(dòng)補(bǔ)償兩種工作方式。先進(jìn)的無(wú)功功率取樣，諧波保護(hù)及測(cè)量功能。標(biāo)準(zhǔn)的RS-485，MODBUS現(xiàn)場(chǎng)總線通訊接口。裝置中的電抗器能抑制5、7次諧波及涌流的沖擊，是傳統(tǒng)的無(wú)功補(bǔ)償裝置替代的產(chǎn)品。
產(chǎn)品總體性能高于： GB/T15576-2008版《低壓無(wú)功功率補(bǔ)償裝置》技術(shù)標(biāo)
準(zhǔn)，在同行中率先通過(guò)國(guó)家強(qiáng)制CCC認(rèn)證產(chǎn)品。
二、產(chǎn)品特點(diǎn)
1、老式和新式補(bǔ)償裝置優(yōu)缺點(diǎn)見：《新式、老式無(wú)功補(bǔ)償設(shè)備性能比較表一》
2、投切速度快速響應(yīng)：無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)在一個(gè)周波內(nèi)完成投切動(dòng)作，控制器的響應(yīng)時(shí)間為20ms～30s可調(diào)。
3、電容器投切程序支持等容／編碼(1：2：2，1：2：3，1：2：4：8…．)及模糊控制投切方式，能滿足多種無(wú)功需要要求。
4、裝置中的電抗器低損耗，噪音和溫升低于同類產(chǎn)品，F(xiàn)級(jí)絕緣（155℃）連續(xù)額定電流135%，線圈溫度不超過(guò)120℃，高線性度：1.8倍額定電流下，L>0.95，裝置接入電網(wǎng)處的背景諧波為5次以上時(shí)，裝置電抗器配4.4-6%電抗率，有3次以上的諧波，裝置電抗器配12%或4.5-6%。
5、自動(dòng)化程度高：具有手動(dòng)和自動(dòng)，標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)場(chǎng)通訊接口，投切次數(shù)按等時(shí)、等容進(jìn)行優(yōu)化投切，最大限度的延長(zhǎng)電容器的使用壽命。
6、先進(jìn)的無(wú)功取樣，人機(jī)對(duì)話，參數(shù)設(shè)置內(nèi)容直觀。
7、大屏LCD液晶顯示，時(shí)時(shí)顯示多項(xiàng)電能參數(shù)：有功、無(wú)功、電壓、電流、功率因數(shù)、電流電壓的諧波畸變率及諧波含量。
8、完善的保護(hù)功能：具有過(guò)壓、欠壓、過(guò)流、短路、過(guò)熱、缺相、空載、停電、諧波等保護(hù)功能。
9、放電時(shí)間短：裝置配置電容器專用快速放電器，3秒鐘之內(nèi)放電至50V以下

四、工作條件

1、配電系統(tǒng)：AC 1000V以下，50Hz或60Hz；
2、環(huán)境溫度：-25℃～+50℃；
3、相對(duì)濕度：<90％(25℃) ；
4、海拔嵩度：2000m，2000m以上采用高原型；
5、安裝方式：無(wú)劇烈的機(jī)械振動(dòng)無(wú)腐蝕性氣體和蒸汽，無(wú)導(dǎo)電性和爆炸性塵埃的戶內(nèi)或戶外。

五、技術(shù)參數(shù)

1、工作電壓： AC 1000V以下，50Hz或60Hz；
2、補(bǔ)償容量：
(1)補(bǔ)償柜：90、120、150、180、210、240、270、300、330、360等；
(2)補(bǔ)償箱：30、40、45、60、65、75、80、90、100、120等；
3、補(bǔ)償級(jí)數(shù)：1～12；
4、響應(yīng)時(shí)間：20ms～30s可調(diào)；
5、測(cè)量數(shù)據(jù)：
(1)電壓：100～1000V；電流：0～6000A；功率因數(shù)：滯后0.200～超前0.200；
(2)顯示：有功功率：0～6553kw：無(wú)功功率：0—6553Kvar；
諧波電壓總畸變率：0.0～100.00％；諧波電流總畸變率：0.0～100.00％ 。
6、參數(shù)設(shè)置：
(1)電流變比：01～1200(比率值)；
(2)投切時(shí)間：20ms～30s；
(3)目標(biāo)功率因數(shù)設(shè)置：滯后0.80～超前0.80；
(4)諧波保護(hù)：Hv：0.0％～50.0％，Hi：0.0％～100.0％；
(5)ID號(hào)設(shè)置：001～255；
(6)電容設(shè)置：0～999kvar。